发电板组件回收,太阳能板组件回收,组件回收
苏州振鑫焱光伏科技有限公司
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主营：发电板组件回收,太阳能板组件回收,组件回收
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电池片的检验
电池片的检验
一十三、印刷图型
主栅线：
-：主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显，断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况烧糊、变黄
新的规范：主栅大小匀称，不容许有断开，缺少、歪曲及其突显。
b级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况烧糊、变黄
新的规范：主栅大小匀称，容许有断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况烧糊、变黄
c级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况
新的规范：主栅线：断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm，
副栅线：
-：副栅线容许大小不匀称，存有总宽超过0.13mm，低于18mm的副栅线，段栅线≤6条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范：副栅线清楚，容许有两根栅线存有断开，断掉总数≤3条，断掉间距≤0.5mm；不容许有一切虚印、粗点；不容许有掉色状况。
b级：容许大小不匀称，存有总宽≤0.25mm的副栅线，段栅线≤10条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的10%.
电池片的制作工艺
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：-回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，-测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，-偿还，返工，光伏模块回收等。
影响因素
1. 温度
温度过高，首先就是 ipa不好控制，温度一高， ipa 的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了 pn 结的有效面积，反应加剧 , 还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。
可控程度：调节机器的设置，可以-的调节温度。
2. 时间
金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以调节时间。
3.ipa
1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 naoh 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯 naoh 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融， ipa 明显减弱 naoh 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向-，有利于金字塔的成形。-含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向-因子又趋于 1 。
可控程度：根据配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。
4.naoh
形成金字塔绒面。 naoh浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受 naoh 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随 naoh 浓度变化比较-，浓度高的 naoh 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积。 naoh 浓度超过一定界-，各向-因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与 ipa 类似，控制精度不高。
pecvd
pe 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电或另加-体使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的-能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性-的各种化学基团，因而-降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化 < 450 ℃ 。
2. 节省能源，降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
pe 设备有两类：平板式和管式。
按反应方式分为：直接式岛津和间接式 roth ＆ rau 。
直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。
间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对-生产尤其重要。
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